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金融界2025年3月29日音讯，国家知识产权局信息数据显现，中微半导体设备（上海）股份有限公司请求一项名为“一种边际刻蚀设备”的专利，揭露号CN 119694869 A，请求日期为2023年9月。
专利摘要显现，本发明揭露一种边际刻蚀设备，包含：反响腔；基座，设置于所述反响腔的内部底部，用于承载晶圆；上遮挡部，设置于所述反响腔的内部顶部；下约束环，环绕所述基座设置；以及上约束环，环绕所述上遮挡部设置；所述上约束环和所述下约束环合作以在所述晶圆的边际区域构成等离子体反响空间；且所述上约束环上设有朝向所述等离子体反响空间的榜首缺口。本发明中榜首缺口的设置能够有用添加等离子体反响空间的容积，然后使得等离子体反响空间内能够包容更多的工艺气体，从而在对工艺气体电离后发生更多的等离子体，以大幅度地进步晶圆边际区域的刻蚀速率。
天眼查资料显现，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，坐落上海市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱62236.3735万人民币，实缴本钱61927.9423万人民币。经过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外出资了28家企业，参加招投标项目65次，产业线条，此外企业还具有行政许可71个。
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