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半导体刻蚀机作为半导体制作的中心设备，其原理终究是什么呢？立刻就来为我们揭晓答案！
物理效果：使用等离子体将样品外表资料物理性地炮击并移除。高能离子在电场中加快，对晶圆标明上进行炮击，使资料外表的原子产生溅射，从而到达刻蚀的意图。这种物理炮击各向异性较强，即首要沿着笔直方向进行刻蚀，但对资料的挑选性较差，或许会对不一样的资料一起形成损害。
化学反响：刻蚀资料与等离子体中的活性自由基产生反响，生成蒸发性物质，然后这些蒸发性物质被真空体系抽走，以此来完成资料的去除。不同的刻蚀气体和资料会产生不同的化学反响，经过挑选正真合适的刻蚀气体能轻松完成对特定资料的刻蚀。
反响离子刻蚀：归纳了物理和化学的刻蚀进程，是现在使用最广泛的干法刻蚀技能。其原理是在低压环境下，经过射频辉光放电产生等离子体，等离子体中的活性粒子与被刻蚀资料产生反响，生成可蒸发的产品，一起离子在电场效果下对资料标明上进行定向炮击，加快反响产品的脱离，完成各向异性刻蚀。
将刻蚀资料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技能。把硅片放入强酸或强碱等化学试剂中，依据特殊需求还可参加醋酸、溴等试剂来增强腐蚀液的氧化才能或避免氧化。腐蚀液会与硅片外表的资料产生化学反响，将不需求的资料溶解去除。
湿法刻蚀是各向同性的，即在各个方向上的腐蚀速率根本相同，这会导致图画的分辨率下降，难以完成精密的图形搬运，因此在小尺度的先进工艺中使用较少。