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：一般为13.56MHz，这是RIE设备中常用的射频频率，有助于发生安稳的等离子体。
：功率巨细可调，规模一般在10~1000W之间，详细数值取决于设备类型和刻蚀需求。例如，某些RIE设备或许供给200W的射频功率。
：工艺腔体一般会用进口铝材或不锈钢资料质地，内壁通过耐腐氧化处理，以保证设备的耐用性和刻蚀作用。部分设备还带有可视窗口，便于调查刻蚀进程。
：刻蚀不均匀性一般优于5%，这是衡量RIE设备刻蚀功用的重要目标之一。
：刻蚀速率取决于刻蚀资料和工艺条件，一般在0.1~1m/min或400A/min的规模内。
：RIE设备能刻蚀多种资料，包含硅基资料（如Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4等）、三五族资料（如GaN、GaAs等）以及金属和硅化物等。
：RIE设备一般装备分子泵机组，以供给高真空环境。例如，某些设备的机台线L/秒。
：工艺腔本底极限线Pa以上，部分设备乃至能在20分钟内到达1E-6Torr的线Torr。
：RIE设备一般装备多路气体，以满意多种刻蚀工艺的需求。例如，某些设备或许装备CF4和O2两路质量流量（MFM）表操控气路，N2为维护气体；而别的设备则或许装备6路气体以刻蚀硅基和三五族资料。
：气体流量可通过质量流量操控器（MFC）进行准确操控，以保证刻蚀进程的安稳性和可重复性。
：RIE设备一般装备下电极体系，用于放置和固定待刻蚀的基片。电极体系或许具有水冷控温功用，以完成对刻蚀进程中基片表面温度的操控。
：现代RIE设备一般具有较高的自动化程度，包含真空体系、下流压力闭环操控、射频电源、气体流量以及工艺进程的全自动操控。此外，设备还或许装备触摸屏操作界面和Windows环境的人机界面，便于用户进行参数设置和监控刻蚀进程。
综上所述，RIE反应离子刻蚀机的首要工艺参数触及射频源、腔体及刻蚀、真空体系、气路体系和其他多个视点。这些参数一起决议了RIE设备的刻蚀功用和使用场景规模。