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金融界2025年7月25日音讯，国家知识产权局信息数据显现，桑迪士克科技股份有限公司请求一项名为“具有受控横向阻隔沟槽深度的三维存储器设备及其构成办法”的专利，公开号CN120380857A，请求日期为2024年05月。
专利摘要显现，一种存储器设备包含：下部源极级半导体层；源极触摸层；上部源极级半导体层；绝缘层和导电层的替换堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该替换堆叠、该上部源极级半导体层和该源极触摸层；和存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构坐落该存储器开口中而且包含存储器膜和竖直半导体层，该竖直半导体层具有触摸该源极触摸层的外表区段。在一个实施方案中，上部源极级半导体层可部分增厚以在构成横向阻隔沟槽期间供给满足的抗蚀刻性。在另一个实施方案中，献身线沟槽填充结构可在构成横向阻隔沟槽期间用作蚀刻阻挠结构。