内存超级周期开启国产存储突围进行时

  全球半导体产业正经历着由AI驱动的内存芯片超级周期。高盛最新研报指出，DRAM及NAND Flash的供应短缺或将持续至2026年，这一周期性缺口由生成式AI数据中心建设、无人驾驶芯片需求激增及5G终端普及共同催化。在存储芯片赛道上，中国厂商正以技术突破与产能扩张实现弯道超车，这一趋势在$科创芯片ETF指数(SH588920)$的持仓结构中已得到清晰映射。

  长某鑫存储的DDR5内存芯片实测性能达8000Mbps，与三某星、SK海某士最新DRAM产品形成直接竞争。根据Counterpoint Research数据，2023年第三季度长某鑫存储DRAM市占率已达8%，位居全球第四；长某江存储在NAND Flash市场占据13%份额，形成“双星闪耀”格局。有必要注意一下的是，长某鑫存储月产能27万片，虽仅为三某星（64万片）的42%，但通过技术迭代已实现性能对标。其DDR5产品较上一代6400Mbps提升25%的性能，直接应用于搭载最新CPU的服务器场景，标志着中国在高端存储芯片领域实现从“可用”到“好用”的跨越。

  技术路径的革新为中国厂商提供了超车契机。3D DRAM技术通过垂直堆叠存储单元，大幅度降低对EUV光刻设备的依赖。首尔大学材料科学教授Hwang Cheol-seong指出，当3D DRAM在2030年实现商业化时，中韩存储芯片技术差距将趋近于零。这一判断在产业实践中已现端倪：中微公司研发的极高深宽比CCP刻蚀机，正是3D DRAM产线的核心设备之一。这种技术路线的重构，使得中国厂商在设备国产化率方面取得实质性突破——存储产线最关键的刻蚀设备已实现自主可控。

  从市场格局看，韩国厂商在中国市场的销售占比高达23.7%。但随着长某鑫存储DDR5/LPDDR5X的量产，这种依赖关系正被重构。韩国中国经济与金融研究院院长Jeon Byeong-seo强调，若五年内中国实现无EUV制程的3D DRAM商业化，现存技术差距将瞬间缩小。这种判断并非空穴来风：长某江存储的232层3D NAND已实现量产，其X3-9070芯片在性能上与美光、三某星同种类型的产品形成对标，而成本优势显著。

  在投资维度，科创芯片ETF指数（588920）的持仓结构精准捕捉了这一产业趋势。该ETF重点配置的半导体设备、存储芯片及先进封装企业，构成了中国半导体产业升级的三大支柱。相较于半导体ETF（159813），科创芯片ETF指数（588920）在存储芯片产业链的配置更为集中，其持仓企业包括中微公司、长某鑫存储供应链合作伙伴等，直接受益于内存芯片超级周期带来的产能扩张与技术升级红利。

  内存芯片的超级周期不仅是需求端的爆发，更是技术路线重构的历史机遇。中国厂商通过3D DRAM技术绕过EUV设备瓶颈，在存储芯片领域实现从“跟跑”到“并跑”的跨越。对于投资者而言，科创芯片ETF指数（588920）通过精准布局存储芯片产业链，提供了分享这一历史性机遇的优质标的。当全球半导体产业格局因3D DRAM技术迎来重塑，中国厂商的崛起将不再是概率事件，而是正在发生的确定性趋势。

  半导体板块关联个股：海光信息寒武纪中芯国际澜起科技、中微公司、芯原股份华虹公司拓荆科技佰维存储沪硅产业。

  （数据来源：iFinD，截止时间2025年11月27日；文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资须谨慎。）

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