我国存储芯片最中心的不是光刻机而是刻蚀机

  三星、SK海力士、美光这些国外大厂在我国赚得盆满钵满，时不时还玩点“自然灾害”戏码——今天说工厂遭了水灾，明日又“地震”了，价格跟着噌噌往上涨。那时候，我国自己的存储芯片产能是零，全得看他人脸色。

  但后来状况变了。长江存储专攻3D NAND，长鑫存储主攻DRAM，两家硬是从国外厂商的围堵中杀出条路来。

  原本还有晋华想冲一把，成果被美光使了阴招，现在底子停在原地。可见国外厂商有多怕我国存储兴起抢他们饭碗。不过就算美国后来把先进芯片列入约束清单，也没挡住国产存储芯片的前进——现在我国厂商现已占到全球10%以上的比例了。

  为啥能顶住约束还涨比例？要害就在存储芯片和逻辑芯片不一样。逻辑芯片得拼命往小里缩，从10纳米到5纳米再到2纳米，没EUV光刻机底子玩不转，到了5纳米再往下，就算用多重曝光，本钱也高得吓人，良率还暴降，底子不划算。

  但存储芯片不一样，安稳才是头等大事。过了15纳米再缩尺度，芯片就不稳了，功能再高也白费。所以存储芯片进步功能不靠缩尺度，而是靠堆叠——3D NAND已叠到300层+，未来还会更多，HBM内存也是多层DDR堆起来，全赖杂乱的3D结构撑密度。

  这种堆叠结构下，刻蚀机比光刻机还重要。光刻机是画电路图的，刻蚀机才是把3D电路“刻”进硅片的。

  堆这么多层，对刻蚀技能的深宽比要求极高，稍有差池就全盘皆输。而我国在刻蚀机范畴早就有硬实力了——中微的刻蚀机现已能做到3纳米水平，北方华创、屹唐半导体这些国产厂商的技能在全球都算顶尖。所以就算美国卡着先进光刻机，我国存储芯片照样能打破，由于中心设备自己能造。

  这事儿告知咱们，只需真实把握中心科技，才干不被卡脖子。我国存储芯片从零起步到占10%比例，靠的不是命运，是实打实的技能堆集。当然，要补的课还多着呢——光学、资料、工艺，哪样都不轻松。但路是一步步走出来的，只需方向对、脚步稳，再难的坎也能迈过去。

  现在我国存储芯片现已站在赛道上了，接下来比的是谁更稳、谁更狠。国外厂商想靠阴招挡道？不好使了。我国芯片人心里有数：中心技能买不来、讨不来，只能自己干出来。这进程或许慢，或许苦，但每一步都管用，都是我国芯站直腰杆的底气。